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稳定化氧化锆的晶界导电模型

郭 新

稳定化氧化锆的晶界导电模型

郭 新
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-01
  • 刊出日期:  1998-04-05

稳定化氧化锆的晶界导电模型

  • 1. 华中理工大学材料科学与工程系,武汉 430074;武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59602012)和湖北省自然科学基金(批准号:96J024)资助的课题.

摘要: 晶界空间电荷层在高纯的稳定化ZrO2的晶界电阻中起着重要作用,以此为基础,提出了一个稳定化ZrO2的晶界导电模型,根据这个模型分析了Ca,Y和Al的晶界偏聚对稳定化ZrO2的晶界导电性的影响,并同时分析了被广泛应用的以Bauerle等效电路为基础的晶界电阻测量方法的局限性,以及一些晶界性能表征参量的物理意义及欠妥之处.

English Abstract

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