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强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

邓发明

强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

邓发明
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  • 使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法, 模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化. 研究结果表明, 电子温度Te在升高到3.89 eV及以上后, 6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体; 带隙值随电子温度Te升高先是增大后又快速减小, 当电子温度Te大于4.25 eV以后, 带隙已经消失而呈现出金属特性.
      通信作者: 邓发明, dfm@scun.edu.cn
    • 基金项目: 国家科技部支撑计划(批准号:2014GB111001,2014GB125000)和四川省教育厅自然科学项目(批准号:16ZA0363)资助的课题.
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    Sokolowski-Tinten K, Bialkowski J, von der Linde D 1995 Phys. Rev. B 51 14186

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    [12] 李骏, 张振华, 王成志, 邓小清, 范志强. 石墨烯纳米带卷曲效应对其电子特性的影响. 物理学报, 2013, 62(5): 056103. doi: 10.7498/aps.62.056103
    [13] 曾永昌, 田文, 张振华. 周期性纳米洞内边缘氧饱和石墨烯纳米带的电子特性. 物理学报, 2013, 62(23): 236102. doi: 10.7498/aps.62.236102
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-16
  • 修回日期:  2016-02-15
  • 刊出日期:  2016-05-05

强激光照射对6H-SiC晶体电子特性的影响

  • 1. 四川民族学院数学系, 康定 626001;
  • 2. 四川大学原子与分子物理研究所, 成都 610065
  • 通信作者: 邓发明, dfm@scun.edu.cn
    基金项目: 

    国家科技部支撑计划(批准号:2014GB111001,2014GB125000)和四川省教育厅自然科学项目(批准号:16ZA0363)资助的课题.

摘要: 使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法, 模拟研究了纤锌矿6H-SiC晶体在强激光照射下电子特性的变化. 研究结果表明, 电子温度Te在升高到3.89 eV及以上后, 6H-SiC由间接带隙的晶体变为直接带隙的晶体; 带隙值随电子温度Te升高先是增大后又快速减小, 当电子温度Te大于4.25 eV以后, 带隙已经消失而呈现出金属特性.

English Abstract

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