搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

质子束辐照单层石墨烯的损伤效应

张宁 张鑫 杨爱香 把得东 冯展祖 陈益峰 邵剑雄 陈熙萌

质子束辐照单层石墨烯的损伤效应

张宁, 张鑫, 杨爱香, 把得东, 冯展祖, 陈益峰, 邵剑雄, 陈熙萌
PDF
导出引用
  • 基于石墨烯优异的电学性能,其已被广泛应用于许多工业领域.但由于其带隙为零,一定程度上限制了在电子器件方面更进一步的应用.为了通过离子辐照在石墨烯中引入缺陷并打开带隙,本工作研究了能量为750 keV,1 MeV的质子束对硅衬底单层石墨烯的辐照损伤效应.通过对比辐照前后的石墨烯样品的拉曼光谱发现:ID/IG随着入射质子能损的增大而增大,与SRIM程序模拟结果趋势一致;缺陷间平均距离LD随入射质子能量的增大而增大;缺陷密度nD随入射质子能量的增大而减小.这表明质子在石墨烯中的损伤效应与三维材料相似.
    [1]

    Mermin N D 1968 Phys. Rev. 176 250

    [2]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva I V, Firsov A A 2004 Science 306 666

    [3]

    Zhang Q H, Han J H, Feng G Y, Xu Q X, Ding L Z, Lu X X 2012 Acta Phys. Sin. 21 214209 (in Chinese)[张秋慧, 韩敬华, 冯国英, 徐其兴, 丁立中, 卢晓翔2012物理学报21 214209]

    [4]

    Fischbein M D, Drndić M 2008 Appl. Phys. Lett. 93 113107

    [5]

    Chen J H, Cullen W G, Jang C, Fuhrer M S, Williams E D 2009 Phys. Rev. Lett. 102 236805

    [6]

    Xu Y J, Zhang K, Brsewitz C, Wu X M, Hofsäss H C 2013 AIP Adv. 3 072120

    [7]

    Lee S, Seo J, Hong J, Park S H, Lee J H, Min B W, Lee T 2015 Appl. Surf. Sci. 344 52

    [8]

    Mathew S, Chan T K, Zhan D, Gopinadhan K, Barman A R, Breese M B H, Dhar S, Shen Z X, Venkatesan T, Thong J T L 2011 Carbon 49 1720

    [9]

    Zeng J, Liu J, Yao H J, Zhai P F, Zhang S X, Guo H, Hu P P, Duan J L, Mo D, Hou M D, Sun Y M 2016 Carbon 100 16

    [10]

    Zhao S J, Xue J M, Wang Y G, Yan S 2012 Nanotechnology 23 285703

    [11]

    Cancado L G, Jorio A, Ferreira E H M, Stavale F, Achete C A, Capaz R B, Moutinho M V O, Lombardo A, Kulmala T S, Ferrari A C 2011 Nano Lett. 11 3190

    [12]

    Kim J H, Hwang J H, Suh J, Tongay S, Kwon S, Hwang C C, Wu J Q, Park J Y 2013 Appl. Phys. Lett. 103 171604

    [13]

    Ziegler J F, Ziegler M D, Biersack J P 2010 Nucl. Instrum. Meth. B 268 1818

  • [1]

    Mermin N D 1968 Phys. Rev. 176 250

    [2]

    Novoselov K S, Geim A K, Morozov S V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S V, Grigorieva I V, Firsov A A 2004 Science 306 666

    [3]

    Zhang Q H, Han J H, Feng G Y, Xu Q X, Ding L Z, Lu X X 2012 Acta Phys. Sin. 21 214209 (in Chinese)[张秋慧, 韩敬华, 冯国英, 徐其兴, 丁立中, 卢晓翔2012物理学报21 214209]

    [4]

    Fischbein M D, Drndić M 2008 Appl. Phys. Lett. 93 113107

    [5]

    Chen J H, Cullen W G, Jang C, Fuhrer M S, Williams E D 2009 Phys. Rev. Lett. 102 236805

    [6]

    Xu Y J, Zhang K, Brsewitz C, Wu X M, Hofsäss H C 2013 AIP Adv. 3 072120

    [7]

    Lee S, Seo J, Hong J, Park S H, Lee J H, Min B W, Lee T 2015 Appl. Surf. Sci. 344 52

    [8]

    Mathew S, Chan T K, Zhan D, Gopinadhan K, Barman A R, Breese M B H, Dhar S, Shen Z X, Venkatesan T, Thong J T L 2011 Carbon 49 1720

    [9]

    Zeng J, Liu J, Yao H J, Zhai P F, Zhang S X, Guo H, Hu P P, Duan J L, Mo D, Hou M D, Sun Y M 2016 Carbon 100 16

    [10]

    Zhao S J, Xue J M, Wang Y G, Yan S 2012 Nanotechnology 23 285703

    [11]

    Cancado L G, Jorio A, Ferreira E H M, Stavale F, Achete C A, Capaz R B, Moutinho M V O, Lombardo A, Kulmala T S, Ferrari A C 2011 Nano Lett. 11 3190

    [12]

    Kim J H, Hwang J H, Suh J, Tongay S, Kwon S, Hwang C C, Wu J Q, Park J Y 2013 Appl. Phys. Lett. 103 171604

    [13]

    Ziegler J F, Ziegler M D, Biersack J P 2010 Nucl. Instrum. Meth. B 268 1818

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  2389
  • PDF下载量:  407
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2016-01-01
  • 修回日期:  2017-01-02
  • 刊出日期:  2017-01-20

质子束辐照单层石墨烯的损伤效应

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11174116)资助的课题.

摘要: 基于石墨烯优异的电学性能,其已被广泛应用于许多工业领域.但由于其带隙为零,一定程度上限制了在电子器件方面更进一步的应用.为了通过离子辐照在石墨烯中引入缺陷并打开带隙,本工作研究了能量为750 keV,1 MeV的质子束对硅衬底单层石墨烯的辐照损伤效应.通过对比辐照前后的石墨烯样品的拉曼光谱发现:ID/IG随着入射质子能损的增大而增大,与SRIM程序模拟结果趋势一致;缺陷间平均距离LD随入射质子能量的增大而增大;缺陷密度nD随入射质子能量的增大而减小.这表明质子在石墨烯中的损伤效应与三维材料相似.

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回