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等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜

汤文辉 刘邦武 张柏诚 李敏 夏洋

等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜

汤文辉, 刘邦武, 张柏诚, 李敏, 夏洋
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-12-29
  • 修回日期:  2017-02-06
  • 刊出日期:  2017-05-05

等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜

    基金项目: 

    浙江省科研院所扶持专项(批准号:2016F50009)资助的课题.

摘要: 采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了GaN多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长GaN的温度窗口为210270℃,薄膜在较高生长温度下呈多晶态,在较低温度下呈非晶态;薄膜中N元素与大部分Ga元素结合成NGa键生成GaN,有少量的Ga元素以GaO键存在,多晶GaN薄膜含有少量非晶态Ga2O3.

English Abstract

参考文献 (25)

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