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高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

周广正 尧舜 于洪岩 吕朝晨 王青 周天宝 李颖 兰天 夏宇 郎陆广 程立文 董国亮 康联鸿 王智勇

高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

周广正, 尧舜, 于洪岩, 吕朝晨, 王青, 周天宝, 李颖, 兰天, 夏宇, 郎陆广, 程立文, 董国亮, 康联鸿, 王智勇
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  • 利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5 m的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.
      通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-11-29
  • 修回日期:  2018-03-12
  • 刊出日期:  2019-05-20

高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长

  • 1. 北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124;
  • 2. 华芯半导体科技有限公司, 泰州 225599;
  • 3. 扬州大学物理科学与技术学院, 扬州 225002
  • 通信作者: 尧舜, yaoshun_bjut@126.com

摘要: 利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5 m的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.

English Abstract

参考文献 (24)

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