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不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

王晓东 牛智川 封松林 刘会赟

不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

王晓东, 牛智川, 封松林, 刘会赟
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-01-07
  • 修回日期:  2000-05-25
  • 刊出日期:  2000-11-20

不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家攀登计划(批准号:19823001)和国家自然科学基金(批准号:69776016)资助的课题.

摘要: 研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x=0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.

English Abstract

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