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Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

刘 鹏 杨同青 张良莹 姚 熹

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

刘 鹏, 杨同青, 张良莹, 姚 熹
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-05-02
  • 刊出日期:  2000-11-20

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

  • 1. (1)陕西师范大学物理系,西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所,上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所,上海 200092;西安交通大学电子材料研究所,西安 710049

摘要: 用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100—180℃温区内的结构与电学特性.弱场介电温谱显示,AFEt陶瓷在低温段(-100—50℃)呈现介电频率弥散(0.1—100kHz)和扩散型相变的特征,而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构;低温下经强场作用后,AFEt被诱导为亚稳三方铁电态,介电频率弥散消失.基于多元复杂化合物的组分起伏理论,讨论了PZST AFEt陶瓷

English Abstract

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