搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

C-BN电子输运特性的Monte Carlo模拟

于丽娟 朱长纯

C-BN电子输运特性的Monte Carlo模拟

于丽娟, 朱长纯
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3086
  • PDF下载量:  653
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1999-07-15
  • 刊出日期:  2000-03-05

C-BN电子输运特性的Monte Carlo模拟

  • 1. (1)西安建筑科技大学基础课部,西安 710055;西安交通大学微电子工程系,西安 710049; (2)西安交通大学微电子工程系,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69676004)和博士点基金(批准号:98069828)资助的课题.

摘要: 根据C-BN的能带结构和极性半导体的具体特征,确立了C-BN的主要散射机构,建立了适于Monte Carlo模拟的物理模型,采用单电子Monte Carlo法对C-BN体材的稳态电子输运特性进行了模拟.得出了电子的平均漂移速度、迁移率和电子能量随电场的变化规律,及电子的能量、动量弛豫时间随电场的变化规律.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回