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金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

王茂祥 俞建华 孙承休 吴宗汉

金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

王茂祥, 俞建华, 孙承休, 吴宗汉
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-05-28
  • 刊出日期:  2000-03-05

金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性

  • 1. (1)东南大学电子工程系,南京 210096; (2)东南大学物理系,南京 210096
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59977002)资助的课题.

摘要: 制备了Au-SiO2-Si结构MIS隧道发光结.测试并分析了该结的发光特性及电流-电压(I-V)特性.指出结的发光是由各膜层界面激发的表面等离极化激元(Surface Plasmon Polariton.SPP)与膜层表面粗糙度相互耦合的结果.观察到MIS结I-V特性中存在的负阻现象,采用SPP对电子的束缚模型对这一现象进行了初步分析.利用原子力显微镜(AFM)对结的表面形貌进行了观测,由此讨论了MIS隧道结的发光与电子在结内的隧穿输运特性之间的内在关系.

English Abstract

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