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金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

王剑屏 徐娜军 张廷庆 汤华莲 刘家璐 刘传洋 姚育娟 彭宏论 何宝平 张正选

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

王剑屏, 徐娜军, 张廷庆, 汤华莲, 刘家璐, 刘传洋, 姚育娟, 彭宏论, 何宝平, 张正选
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-11-08
  • 刊出日期:  2000-07-20

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071; (2)西北核技术研究所,西安 710024

摘要: 研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.

English Abstract

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