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光照下高电子迁移率晶体管特性分析

徐得名 吕永良 周世平

光照下高电子迁移率晶体管特性分析

徐得名, 吕永良, 周世平
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-10-03
  • 修回日期:  1999-11-12
  • 刊出日期:  2000-07-20

光照下高电子迁移率晶体管特性分析

  • 1. (1)上海大学通信工程系,上海 201800; (2)上海大学物理系,上海 201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69671013)资助的课题.

摘要: 以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度 增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.

English Abstract

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