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SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

金 鹏 潘士宏 梁基本

SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

金 鹏, 潘士宏, 梁基本
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-07-15
  • 修回日期:  2000-01-15
  • 刊出日期:  2000-09-20

SIN+ GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

  • 1. (1)南开大学物理系,天津 300071; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69776019)资助的课题.

摘要: 利用傅里叶变换(FT)方法,对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟,并 用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层-n型重掺杂层(SIN+)结构的GaAs样品的FKO. PR谱的FT分析表明,一部分样品的FT谱,包括其实部、虚 部和模,与理论线性符合得比较好,由此求出轻空穴(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之 比μl/μh对不同样品在0805—0816之间,同时也可以求出

English Abstract

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