搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧

Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

闫隆, 张永平, 彭毅萍, 庞世谨, 高鸿钧
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2757
  • PDF下载量:  586
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-06
  • 刊出日期:  2001-11-20

Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附

  • 1. 中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心北京真空物理实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:6977001)资助的课题.

摘要: 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si(111)7×7表面上初期吸附过程.在Ge所形成团簇中存在一个临界核.这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中.它们的电子结构具有类似半导体的性质,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大,而在费米面附近的能级处非常小.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回