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在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜

王玉霞 郭震 何海平 曹颖 汤洪高

在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜

王玉霞, 郭震, 何海平, 曹颖, 汤洪高
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-03-12
  • 修回日期:  2000-10-07
  • 刊出日期:  2001-02-20

在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜

  • 1. 中国科学技术大学材料科学与工程系,合肥230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59774012).

摘要: 在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶凝胶甩膜并经950℃真空(10-3Pa)热解处理法,制备出晶态SiC薄膜.用FTIR,XRD,TEM,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质.结果表明制得的是沿(0001)高度择优取向的晶态6H-SiC薄膜.膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长,其最大尺寸约150nm,膜厚约为0.3μm,SiC中的Si/C比约为1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2O3,CO态氧和吸附氧).从对比实验可知,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量.

English Abstract

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