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GaN(0001)表面的电子结构研究

徐法强 谢长坤 邓锐 徐彭寿 刘凤琴 K.Yibulaxin

GaN(0001)表面的电子结构研究

徐法强, 谢长坤, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-03-25
  • 修回日期:  2002-05-01
  • 刊出日期:  2005-06-21

GaN(0001)表面的电子结构研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (3)中国科学院高能物理研究所,北京100039
    基金项目: 

    中国科学技术大学高水平大学建设科研基地资助的课题

摘要: 报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散

English Abstract

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