Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平; 闫隆; 解思深; 庞世谨; 高鸿钧

doi:10.7498/aps.51.296

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Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平 , 闫隆 , 解思深 , 庞世谨 , 高鸿钧

凝聚物质：结构、热学和力学性质

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧

物理学报. 2002, 51(2): 296-299.

doi: 10.7498/aps.51.296.

摘要
用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

关键词:
锗 /

硅 /

扫描隧道显微镜 /

自组织生长
作者及机构信息
张永平,

闫隆,

解思深,

庞世谨,

高鸿钧

1.
中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~
参考文献

施引文献

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物理学报. 2002, 51(2): 296-299.

doi: 10.7498/aps.51.296.

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

1. 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080

基金项目:

国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01

6 0 0 710 0 9)资助的课题~~

收稿日期: 2001-07-03
修回日期: 2001-07-25
刊出日期: 2002-01-05

摘要: 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

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