Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平; 闫隆; 解思深; 庞世谨; 高鸿钧

doi:10.7498/aps.51.296

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Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平 , 闫隆 , 解思深 , 庞世谨 , 高鸿钧

凝聚物质：结构、热学和力学性质

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧

物理学报. 2002, 51(2): 296-299.

doi: 10.7498/aps.51.296.

摘要
用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

关键词:
锗 /

硅 /

扫描隧道显微镜 /

自组织生长
作者及机构信息
张永平,

闫隆,

解思深,

庞世谨,

高鸿钧

1.
中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01;6 0 0 710 0 9)资助的课题~~
参考文献

施引文献

[1]	汪建元, 王尘, 李成, 陈松岩. 硅基锗薄膜选区外延生长研究. 物理学报, 2015, 64(12): 128102. doi: 10.7498/aps.64.128102
[2]	徐丹, 殷俊, 孙昊桦, 王观勇, 钱冬, 管丹丹, 李耀义, 郭万林, 刘灿华, 贾金锋. 铜箔上生长的六角氮化硼薄膜的扫描隧道显微镜研究. 物理学报, 2016, 65(11): 116801. doi: 10.7498/aps.65.116801
[3]	王学森, 唐景昌, 汪雷. Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究. 物理学报, 2001, 50(3): 517-522. doi: 10.7498/aps.50.517
[4]	郭辉, 路红亮, 黄立, 王雪艳, 林晓, 王业亮, 杜世萱, 高鸿钧. 金属衬底上高质量大面积石墨烯的插层及其机制. 物理学报, 2017, 66(21): 216803. doi: 10.7498/aps.66.216803
[5]	孟利军, 张凯旺, 钟建新. 硅纳米颗粒在碳纳米管表面生长的分子动力学模拟. 物理学报, 2007, 56(2): 1009-1013. doi: 10.7498/aps.56.1009
[6]	张永炬, 余森江. 准自由支撑铝薄膜中有序表面结构的自组织生长. 物理学报, 2005, 54(10): 4867-4873. doi: 10.7498/aps.54.4867
[7]	陈永军, 赵汝光, 杨威生. 长链烷烃和醇在石墨表面吸附的扫描隧道显微镜研究. 物理学报, 2005, 54(1): 284-290. doi: 10.7498/aps.54.284
[8]	葛四平, 朱星, 杨威生. 用扫描隧道显微镜操纵Cu亚表面自间隙原子. 物理学报, 2005, 54(2): 824-831. doi: 10.7498/aps.54.824
[9]	黄仁忠, 刘柳, 杨文静. 扫描隧道显微镜针尖调制的薄膜表面的原子扩散. 物理学报, 2011, 60(11): 116803. doi: 10.7498/aps.60.116803
[10]	杨景景, 杜文汉. Sr/Si(100)表面TiSi2纳米岛的扫描隧道显微镜研究. 物理学报, 2011, 60(3): 037301. doi: 10.7498/aps.60.037301

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物理学报. 2002, 51(2): 296-299.

doi: 10.7498/aps.51.296.

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

1. 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080

基金项目:

国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01

6 0 0 710 0 9)资助的课题~~

收稿日期: 2001-07-03
修回日期: 2001-07-25
刊出日期: 2005-05-10

摘要: 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

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