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Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长
张永平 , 闫隆 , 解思深 , 庞世谨 , 高鸿钧
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中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京100080
国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 01
6 0 0 710 0 9)资助的课题~~
摘要: 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.
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