搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

马平 刘乐园 张升原 王昕 谢飞翔 邓鹏 聂瑞娟 王守证 戴远东 王福仁

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3484
  • PDF下载量:  856
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-20
  • 修回日期:  2001-08-09
  • 刊出日期:  2002-01-05

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

  • 1. 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京100871
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划 (批准号 :86 3 CD0 5 0 10 1)

    国家重点基础研究 ( 973)专项经费 (批准号 :G19990 6 46 0 9

    G19990 6 46 0 7)资助的课题

摘要: 用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回