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ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N2气氛中的热退火研究

物理学报, 2002, 51(2): 439-443.
DOI: 10.7498/aps.51.439
CSTR: 32037.14.aps.51.439

Acta Phys. Sin., 2002, 51(2): 439-443.
DOI: 10.7498/aps.51.439
CSTR: 32037.14.aps.51.439
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  • 摘要

    改变CHF3CH4源气体流量比,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法(ECRCVD)制备了具有不同C—F键结构的aC:F:H薄膜,着重研究了退火对其结构的影响.结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E04随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降.借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源.

     

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