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InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

赵继刚 邵彬 王太宏

InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

赵继刚, 邵彬, 王太宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-28
  • 修回日期:  2001-01-22
  • 刊出日期:  2002-03-05

InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

  • 1. (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)中国科学院物理研究所,北京100080;北京理工大学,北京100081
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 992 5 410和 19990 40 15 )资助的课题

摘要: 分析研究了GaAsInAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和IV曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象

English Abstract

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