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低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
谭震宇
,
夏曰源
物理学报, 2002,
51(7)
: 1506-1511.
DOI:
10.7498/aps.51.1506
CSTR:
32037.14.aps.51.1506
Tan Zhen-Yu
,
Xia Yue-Yuan
Acta Phys. Sin.
, 2002,
51(7)
: 1506-1511.
DOI:
10.7498/aps.51.1506
CSTR:
32037.14.aps.51.1506
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应用MonteCarlo方法模拟千电子伏低能束作用下,不同衬底上不同薄膜背散射电子发射.应用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和计算低能电子在固体中弹性和非弹性散射,引入边界方程,修正穿越薄膜与衬底界面的电子散射路径.计算分析了薄膜背散射系数η随薄膜厚度D的变化和规律,以及不同情况下ηD线性区范围的分布及其定量结果Dmax.计算了背散射电子角分布和空间密度分布.
关键词:
背散射电子
/
MonteCarlo方法
/
超薄膜
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