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蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究

王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华

蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究

王剑屏, 郝跃, 彭军, 朱作云, 张永华
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-12
  • 修回日期:  2002-01-17
  • 刊出日期:  2005-05-31

蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

摘要: 报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵

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