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谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

邵 军

谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

邵 军
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-19
  • 修回日期:  2003-01-27
  • 刊出日期:  2003-10-20

谱导数法在光谱研究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的应用

  • 1. Physikalisches Institut,Universitt Stuttgart,D-70550 Stuttgart,Germany;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    上海市自然科学基金(批准号: 02ZA14114),国家自然科学基金(批准号: 60276006)和国家重点基础研究专项经费(批准号: G001CB3095)资助的课题.

摘要: 在简要讨论谱导数法物理机理的基础上, 给出了其在光吸收谱和光反射谱方法研究张应变GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的成功应用实例. 比较了不同阶谱导数对测定激子跃 迁能量的影响,论及了其与双调制谱方法、曲线拟合方法的区别. 指出了谱导数法在光谱研 究GaInAs/InP和GaInP/AlGaInP多量子阱中的重要性和易行性.

English Abstract

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