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4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

吕红亮 张义门 张玉明

4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

吕红亮, 张义门, 张玉明
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-19
  • 修回日期:  2003-02-25
  • 刊出日期:  2003-10-20

4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安 710071

摘要: 基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入 雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不 同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.

English Abstract

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