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掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究

周生强 朱建军 宋淑芳 陈维德 陈长勇 许振嘉

掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究

周生强, 朱建军, 宋淑芳, 陈维德, 陈长勇, 许振嘉
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-28
  • 修回日期:  2003-02-19
  • 刊出日期:  2003-05-05

掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究

  • 1. (1)北京大学技术物理系,北京 100080; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176025)资助的课题.

摘要: 采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒G aN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高, 薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入 深度呈现高斯分布.通过沿GaN的轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er 样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外P L峰强度增加;但是当退火温度达到100

English Abstract

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