搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究

葛维琨 黄劲松 董 逊 刘祥林 徐仲英

AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究

葛维琨, 黄劲松, 董 逊, 刘祥林, 徐仲英
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3145
  • PDF下载量:  825
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-02
  • 修回日期:  2002-11-26
  • 刊出日期:  2003-10-20

AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究

  • 1. (1)香港科技大学物理系,中国 香港; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究专题经费(批准号:G001CB3095,G2000683),国家自然科学基金(批准号 :19974045和HKUST 6125/98P)和中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题.

摘要: 研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的 测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加,而Al的掺入几乎没什么变化;在较低温 度下生长的材料具有较好的材料质量与光学特性,其原因直接与In组分的掺入有关,In组分 的掺入可以减少材料的缺陷,改善材料的质量.同时,用时间分辨光谱研究了AlInGaN材料的 发光机理,发现其发光强度随时间变化(荧光衰退寿命)不是指数衰减,而是一种伸展的指 数衰减.通过对这种伸展的指数衰减特性的研究,发现AlInGaN发光来自

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回