搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

何志巍 甄聪棉 兰 伟 王印月

引用本文:
Citation:

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

何志巍, 甄聪棉, 兰 伟, 王印月

Deposition of nanoporous silica thin films by sol-gel

He Zhi-Wei, Zhen Cong-Mian, Lan Wei, Wang Yin-Yue
PDF
导出引用
  • 以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05.
    Low dielectric constant thin film of nanoporous silica synthesized by sol-gel was deposited on Si(100) substrate by spin coating. By detecting —CH3 substituted for —OH species, which can avoid the destruction of network, surface modification was identified by Fourier transform infrared spectroscope. The hole size was about 70-80 nm observed from scanning electron microscope. By adjusting the pH value of the sol, we found that the gel time increased with the decrease o f the pH value of the sol. When heating the modified film at different temperatu res (60-400 ℃), we can obtain the lowest dielectric constant 2.05 at 300 ℃ .
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50272027)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  7173
  • PDF下载量:  1598
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2003-01-17
  • 修回日期:  2003-03-29
  • 刊出日期:  2003-06-05

/

返回文章
返回