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掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

王永谦 陈长勇 陈维德 宋淑芳 许振嘉

掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

王永谦, 陈长勇, 陈维德, 宋淑芳, 许振嘉
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-04-26
  • 修回日期:  2002-06-28
  • 刊出日期:  2005-04-03

掺铒nc-Si/SiO2薄膜中nc-Si和Er3+与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083;; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69976028)资助的课题.

摘要: 对nc-Si/SiO2薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO2薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结

English Abstract

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