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稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

徐艳月 孔光临 张世斌 胡志华 曾湘波 刁宏伟 廖显伯

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

徐艳月, 孔光临, 张世斌, 胡志华, 曾湘波, 刁宏伟, 廖显伯
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-07-17
  • 修回日期:  2002-09-28
  • 刊出日期:  2003-03-05

稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析

  • 1. 中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积技术研制出了优质稳定的氢化非晶-纳米晶两相结构硅薄膜.薄膜的光电导率相对于器件质量的非晶硅有两个数量级的提高;光敏性也较好,光、暗电导比可以达到104,此外薄膜的光电导谱具有更宽的长波光谱响应.更为重要 的是薄膜的光致退化效应远小于典型的非晶硅薄膜,在光强为50mW/cm2的卤钨灯光 照24h后,光电导的衰退小于10%.这种薄膜优良的光电性能源于薄膜中的非晶母体的存在使其在 光学跃迁中的动量选择定则发生松弛,因而具有大的光学吸收系数和

English Abstract

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