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利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

王淑芳 朱亚斌 张 芹 刘 震 周岳亮 陈正豪 吕惠宾 杨国桢

利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

王淑芳, 朱亚斌, 张 芹, 刘 震, 周岳亮, 陈正豪, 吕惠宾, 杨国桢
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-08
  • 修回日期:  2002-11-19
  • 刊出日期:  2003-06-20

利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

  • 1. 中国科学院物理研究所光物理开放实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项经费(批准号:1999064604)资助的课题.

摘要: 利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2超导厚膜.厚膜中的MgB2晶粒结合紧密,粒度小于1μm,呈随机取向生长.电阻测量表明沉积在Ta,Mo,W上的MgB2厚膜的超导起始转变温度分别为36.5K,34.8K,33.4K,对应的转变宽度为0.3K,1.5K和2.0K.三种基底上制备的MgB2厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况 基本相同,MgB2/Mo厚膜的临界电流密

English Abstract

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