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栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

马仲发 庄奕琪 杜 磊 包军林 李伟华

栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

马仲发, 庄奕琪, 杜 磊, 包军林, 李伟华
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-08-07
  • 修回日期:  2002-12-13
  • 刊出日期:  2003-04-05

栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69671003)资助的课题.

摘要: 在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上,提出了氧化层击穿的逾渗模型.认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累,并最终形成电导逾渗通路的结果.指出在电场作用下,氧化层中产生深能级缺陷,缺陷形成定域态,定域态的体积与外加电场有关.随着应力时间的增长,氧化层中的缺陷浓度增大,定域态之间的距离缩小.当定域态之间的距离缩小到一个阈值时,定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路,形成扩展态能级,漏电流开始急剧增大,氧化层击穿.

English Abstract

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