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内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究

王久丽 杨武保 范松华 刘赤子 杨思泽 张谷令

内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究

王久丽, 杨武保, 范松华, 刘赤子, 杨思泽, 张谷令
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-27
  • 修回日期:  2003-02-25
  • 刊出日期:  2003-09-20

内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究

  • 1. (1)中国科学院物理研究所,北京 100080; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080;厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,厦门 361005;三束国家重点实验室,大连理工大学,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50071068,10275088),国家863计划(批准号:2002A331020), 美国ARO-FE基金(批准号:N62649-02-1-0010),北京市科委高新科技发展项目(批准号:H02 0420160130)资助的课题.

摘要: 阐述了栅极增强等离子体源离子注入(GEPSII)方法的基本思想.利用GEPSII方法在45号钢 基底上生成了金黄色氮化钛(TiNx)膜.对不同条件下的TiN膜做电化学腐蚀,X PS,AES, XRD等分析.电化学腐蚀实验显示TiN薄膜改善了45号钢的耐腐蚀性能5—10倍,且在高气压下 效果更好.结构分析显示TiN膜含有TiO2,TiN成分,主要沿(111)和(200)晶 向生长,深度分析显示膜的厚度只有二十几纳米,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度.

English Abstract

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