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分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程

谢国锋 王德武 应纯同

分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程

谢国锋, 王德武, 应纯同
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-18
  • 修回日期:  2002-12-30
  • 刊出日期:  2003-09-20

分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程

  • 1. 清华大学工程物理系,北京 100084

摘要: 为了分析Gd吸附原子在Cu(110)表面的扩散机理,用分子动力学对该扩散过程进行模拟.模拟 结果表明在[1 1 0]方向Gd原子通过跳跃机理扩散,而且多步跳跃频率很高.而在[0 0 1]方向则通过交换机理扩散.吸附原子在[1 1 0]方向的扩散能力要比[0 0 1] 方向强.通过对扩散频率的拟合,发现两种扩散机理都符合Arrhenius公式,从而确定了跳跃 机理的扩散势垒为0.097eV,交换机理的扩散势垒为0.33eV.另外还用能量弛豫的方法确定了 跳跃机理的扩散势垒.

English Abstract

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