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Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究

袁先漳 缪中林

Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究

袁先漳, 缪中林
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-17
  • 修回日期:  2004-02-20
  • 刊出日期:  2004-10-15

Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究

  • 1. (1)温州师范学院物理与电子信息学院,温州 325027; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家实验室,上海 200083
    基金项目: 

    河南省自然科学基金(批准号:0111050400)资助的课题.

摘要: 用分子束外延(MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段,研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响.根据跃迁峰的变化,采用有效质量近似理论计算出了Al和GaAs 的互扩散长度为0.5nm,这是半导体工艺中的一个重要常数.

English Abstract

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