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微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

赵学安 何军辉

微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

赵学安, 何军辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-04-25
  • 修回日期:  2003-12-02
  • 刊出日期:  2004-04-15

微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

  • 1. (1)浙江大学近代物理中心,杭州 310027; (2)浙江大学物理系,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274069)、浙江省教育厅科研基金(批准号:G20010059)和浙江省自然科学基金(批准号:500079)资助的课题.

摘要: 采用有效哈密顿量和有相互作用的分立势模型,利用格林函数和耦合参量得出了量子点(腔)在有结边电荷积累极化时的线性和二阶非线性交流电导虚部(emittance)的明确表达式.发现在经典情况下,电导虚部和电化学电容都等于经典的几何电容.在非经典情况下,如果发生全反射,电导虚部和电化学电容相等,但两者皆不等于经典的几何电容.在有隧穿的情况下,电导虚部和电化学电容以及经典电容三者都不相等.该结果对于量子器件中的电容测量具有指导作用.

English Abstract

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