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关于p-n合金结中少数载流者的注射理论

王守武

关于p-n合金结中少数载流者的注射理论

王守武
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出版历程
  • 收稿日期:  1957-06-24
  • 刊出日期:  1958-01-20

关于p-n合金结中少数载流者的注射理论

  • 1. 中国科学院应用物理研究所

摘要: 本文用一维模型计算了p-n合金结中少数载流者的一般注射理论。这里假设复合率是与注入载流者的密度成正比。首先,我们讨论了大注射和小注射的两种极端情况,这样得到的结果被用作零级近似解来计算p-n结中注入少数载流者的分布情况。用逐步近似的方法我们得到了注射效率和注射强度(即注入少数载流者的密度与原有多数载流者的密度之比)间的解析关系。在同样的基础上也得到了通过结的总电流密度和注射强度间的类似关系。这理论的结果表明;对一个平常的合金结晶体三极管来说,当发射极电流增加时,发射极的注射效率逐渐下降。在很大的注射强度下,注射效率趋近于极限值1/(1+b),其中b是电子迁移率与空穴迁移率之比。对一个具有很低注射效率的p-n合金结来说,在注射电流小的时候,注射效率是正比于通过结的总电流;当往射电流很大时,注射效率趋近于极限值1/(1+b)。理论结果还表明,在小注射情下,通过p-n合金结的总电流是正比于注射强度;而在大注射情况下,它是正比于注射强度的平方。

English Abstract

参考文献 (1)

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