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关于半导体硅表面处理的某些问题

宿昌厚

关于半导体硅表面处理的某些问题

宿昌厚
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出版历程
  • 收稿日期:  1961-10-23
  • 刊出日期:  2005-08-05

关于半导体硅表面处理的某些问题

摘要: 本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10%的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。

English Abstract

参考文献 (1)

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