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用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)

张幼文 郁启华

用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)

张幼文, 郁启华
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出版历程
  • 收稿日期:  1964-11-02
  • 刊出日期:  2005-08-05

用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)

  • 1. 中国科学院

摘要: 用赝势微扰法计算了GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金的能带。赝势选择的原则是使计算所得直接能隙和间接能隙与实验值相符合。计算结果表明,不但能带次序准确,而且与室温下的实验值符合得很好。基于由GaAs到GaP晶格常数和赝势是线性变化的假设,计算了GaP含量为20%,50%和80%时Ga[As1-xPx]合金的能带。当GaP含量为41%时,直接能隙和间接能隙相等,这一数值刚好是Spitzer和Fenner的实验值的平均值。此时,由于很好满足光激射器p-n结所要求的条件,因此可望在光激射器中得到应用,它们的能带也就有一定的参考价值。

English Abstract

参考文献 (1)

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