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静电场作用下KDP和TGS单晶中子衍射增强现象的物理机理

许政一

静电场作用下KDP和TGS单晶中子衍射增强现象的物理机理

许政一
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出版历程
  • 收稿日期:  1977-12-20
  • 刊出日期:  2005-08-01

静电场作用下KDP和TGS单晶中子衍射增强现象的物理机理

  • 1. 中国科学院物理研究所

摘要: 本文提出了KDP和TGS单晶在静电场作用下中子衍射增强现象的物理机理。KDP和TGS都是质子导电晶体。外加直流电压后,晶体中电场有一空间分布。由于压电效应,相关的衍射晶面间距是空间坐标的函数,造成中子衍射增强。对衍射晶面间距为空间坐标函数的情况,导出了透射方式和反射方式的中子衍射强度公式,估计了非均匀的压电效应引起的中子衍射增强的量级,和实验相符。并对进一步验证上述机理提出了新的实验建议。顺便指出,对于α-LiIO3,在静电场作用下其中子衍射增强,非均匀压电效应不是主要因素。并提出其可能的微观机制是:在非均匀电场作用下,缺陷(包括杂质)在晶体中有一空间分布,引起中子衍射增强。

English Abstract

参考文献 (1)

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