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硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

杨传铮 姜小龙 许顺生

硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

杨传铮, 姜小龙, 许顺生
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出版历程
  • 收稿日期:  1978-12-04
  • 刊出日期:  2005-07-29

硅蹼中位错和层错的X射线貌相研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所

摘要: 利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。

English Abstract

参考文献 (1)

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