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半导体中光的相干传播理论(Ⅱ)

甘子钊 杨国桢

半导体中光的相干传播理论(Ⅱ)

甘子钊, 杨国桢
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出版历程
  • 收稿日期:  1980-12-29
  • 刊出日期:  2005-07-27

半导体中光的相干传播理论(Ⅱ)

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 本文是关于半导体中光的相干传播理论的第二部分。考虑到电子空穴间的相互作用,我们讨论了光波与半导体的相互作用,得到了描述光激发电子空穴极化波的方程。我们指出只有在激发比较弱时,这组方程才可近似为一组线性方程,电子空穴极化波才可以看作玻色场。本文还着重讨论了分立的激子谱线的相干激发,证明了它可以近似等效于一个二能级系统的激发,等效的二能级系统的能级差和激发的程度有关,等效的二能级“原子”的“浓度”由激子波函数的性质决定。

English Abstract

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