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金属铝在半导体表面的吸附

张开明 叶令 徐永年

金属铝在半导体表面的吸附

张开明, 叶令, 徐永年
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-06-02
  • 刊出日期:  2005-07-27

金属铝在半导体表面的吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 本文采用集团模型,用自洽的EHT方法计算金属Al在Si(111)和GaAs(110)面上吸附的稳定的几何构型和电子态,结果表明,Al在Si(111)面的三度开位上的离子吸附比顶位的共价吸附更稳定,态密度与实验符合也更好,Al吸附在GaAs(110)面上,将取代表面Ga原子,形成AlAs,此时GaAs(110)面将恢复到不弛豫的理想位置。

English Abstract

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