Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

周均铭; 黄绮; 林彰达

doi:10.7498/aps.33.1240

摘要

用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。
Abstract
AES and RHEED techniques have been applied to a study of temperature dependence of the sticking coefficient of In atoms on the Si(lll)4×1-In surface. At temperatures below 110℃, the sticking coefficient for In atoms is close to zero due to saturation of valence bonds resulting from the arrangement of In atoms in the 4×1-In overlayer. The steep change of the sticking coefficient in the temperature range 110-120℃ may be explained by a model of the order-disorder transition arisen from the surface melting. At temperatures above 120℃, the sticking coefficient of In atoms is always close to unity.
作者及机构信息
周均铭,

黄绮,

林彰达

1.
中国科学院物理研究所
Authors and contacts
ZHOU JUN-MING,

HUANG YI,

LIN ZHANG-DA

1.
中国科学院物理研究所
参考文献

施引文献

[1]	余涛, 付诗润, 鲁鸿平, 王俊忠. Cd(0001)表面上苉分子的薄膜生长及电子透射现象. 物理学报, 2025, 74(8): 086801. doi: 10.7498/aps.74.20250076
[2]	李小影, 黄灿, 朱岩, 李晋斌, 樊济宇, 潘燕飞, 施大宁, 马春兰. -(Zn,Cr)S(111)表面上的Dzyaloshinsky-Moriya作用:第一性原理计算. 物理学报, 2018, 67(13): 137101. doi: 10.7498/aps.67.20180342
[3]	吴勇峰, 张世平, 孙金玮, Peter Rolfe, 李智. 脉冲激励下环形耦合Duffing振子间的瞬态同步突变现象. 物理学报, 2011, 60(10): 100509. doi: 10.7498/aps.60.100509
[4]	许桂贵, 吴青云, 张健敏, 陈志高, 黄志高. 第一性原理研究氧在Ni(111)表面上的吸附能及功函数. 物理学报, 2009, 58(3): 1924-1930. doi: 10.7498/aps.58.1924
[5]	侯柱锋, 朱梓忠, 黄美纯, 黄荣彬, 郑兰荪. Ag,Au,K吸附在W(001)表面上的功函数随外加电场的变化. 物理学报, 2002, 51(7): 1591-1595. doi: 10.7498/aps.51.1591
[6]	张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧. Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长. 物理学报, 2002, 51(2): 296-299. doi: 10.7498/aps.51.296
[7]	向嵩, 庄军, 刘磊. 吸附原子在Ag,Pt,Au(110)表面上的自扩散现象. 物理学报, 1998, 47(4): 678-685. doi: 10.7498/aps.47.678
[8]	范朝阳, 张训生, 唐景昌, 隋华, 徐亚伯, 徐世红, 潘海斌, 徐彭寿. Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究. 物理学报, 1997, 46(5): 953-958. doi: 10.7498/aps.46.953
[9]	曹培林, 周煦炎, 周如洪. Si(100)2×1表面上Li原子之间的相互作用与表面结构相变. 物理学报, 1993, 42(7): 1116-1120. doi: 10.7498/aps.42.1116
[10]	贾金峰, 赵汝光, 杨威生. 一种改进的运动学低能电子衍射和数据平均方法在Si(111)31/2×31/2-Al表面上的应用. 物理学报, 1992, 41(5): 827-832. doi: 10.7498/aps.41.827
[11]	曹培林；周煦炎；周如洪. Si_100_2_1表面上Li原子之间的相互作用与表面结构相变. 物理学报, 1991, 40(7): 1116-1120. doi: 10.7498/aps.40.1116
[12]	朱福荣, 罗艳生, 戴道宣. 低温下水汽在Si(111)7×7表面上的化学吸附. 物理学报, 1989, 38(2): 296-300. doi: 10.7498/aps.38.296
[13]	樊永年. 碳在钼(100)和钼(111)表面上的超结构. 物理学报, 1988, 37(2): 305-310. doi: 10.7498/aps.37.305
[14]	许掌龙, 刘古, 季振国, 周小霞. V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱. 物理学报, 1988, 37(2): 311-317. doi: 10.7498/aps.37.311
[15]	侯晓远；杨曙；董国胜；丁训民；王迅. 用HREELS研究氢在GaAs和InP的（111），（III）表面上的吸附. 物理学报, 1987, 36(8): 1070-1074. doi: 10.7498/aps.36.1070
[16]	樊永年. 硫偏析在钼(111)表面上的有序结构. 物理学报, 1986, 35(5): 667-671. doi: 10.7498/aps.35.667
[17]	屠礼勋, 孙玉珍. Ga在Ni(111)表面上形成的超结构. 物理学报, 1985, 34(7): 964-967. doi: 10.7498/aps.34.964
[18]	徐永年, 张开明. Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附. 物理学报, 1984, 33(11): 1619-1623. doi: 10.7498/aps.33.1619
[19]	周均铭. In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象. 物理学报, 1983, 32(5): 640-647. doi: 10.7498/aps.32.640
[20]	张开明, 叶令. Si(111)表面原子弛豫研究. 物理学报, 1980, 29(1): 122-126. doi: 10.7498/aps.29.122

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Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

A STEEP CHANGE IN THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE STICKING COEFFICIENT OF In ATOMS ON THE Si(111)4×1-In SURFACE

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