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磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ)

柳树政

磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ)

柳树政
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-11-14
  • 刊出日期:  2005-03-28

磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ)

  • 1. 北京大学物理系,中央广播电视大学

摘要: 本文讨论了在磁场中,窄禁带半导体在双光子吸收线附近的三阶非线性,并计算了在带边的几个非线性Faraday旋转峰和Voigt相移峰的位置和相对强度。

English Abstract

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