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电沉积Ni-P合金结构的研究

林树智 黑祖昆

电沉积Ni-P合金结构的研究

林树智, 黑祖昆
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-08-09
  • 刊出日期:  2005-07-20

电沉积Ni-P合金结构的研究

  • 1. 中国科学院金属研究所

摘要: 本文用X射线衍射方法研究电沉积Ni-P合金的结构。研究表明:当P含量小于5.4at%时合金为P在Ni中的过饱和固溶体;当P含量大于7.8at%时结构发生明显变化,衍射花样可解释成一些大小为6—8?的密堆小片。它们作平行而无规的相对错动,片间距为2.04?,堆垛成小柱状,柱高随含P量的增高而减小,从含P为7.8%时的124?降到含P为18%时的13?,成为典型的非晶态合金的衍射花样。利用{lll}谱线的强度比,或者用原子径向分布函数的峰形和峰高,估算出原子偏离平衡位置的均方根值为0.17?。由于这些扭曲,使层间距在小于原子直径的情况下仍能实现片与片间相对平行而无规的错动,而且使一个小柱能够直接过渡到另一个取向不同的小柱而无须形成晶界。所以样品是一个连续分布的整体而不是一个微晶的集合体。另外,还测量了{lll}谱线不同衍射级的宽度。发现βlll/β222lll/cosθ222,或许线宽除受垛高因素所制约外,可能还与成份起伏、微应变以及片层间距轻微的不规则性有关。

English Abstract

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