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二氧化硅生长新的动力学模型

卢豫曾 郑耀宗

二氧化硅生长新的动力学模型

卢豫曾, 郑耀宗
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-03-12
  • 刊出日期:  2005-03-28

二氧化硅生长新的动力学模型

  • 1. (1)成都电讯工程学院; (2)香港大学

摘要: 本文中提出了一个同时适用于描述极薄及厚二氧化硅层生长规律的新的氧化模型。该模型假定在氧化过程中,二氧化硅层内的总净电荷具有指数分布。本文考虑了此氧化层电荷的影响,并推得了硅热氧化的新关系式。此新关系式不论是对非常薄或厚氧化层都与实验结果符合得很好。对于厚氧化层此式则过渡到熟知的Deal-Grove关系。利用本模型还可满意地解释外加电场对氧化速率的影响。

English Abstract

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