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半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

赵敏光 单伟 沈学础 朱浩荣

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

赵敏光, 单伟, 沈学础, 朱浩荣
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-10-04
  • 刊出日期:  2005-07-14

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

  • 1. (1)四川师范大学物理系; (2)中国科学院上海技术物理研究所

摘要: 本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x-3eV/kbar的速率漂移,并具有10-5/kbar2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。

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