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GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金能带的计算

薛舫时

GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金能带的计算

薛舫时
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-11-07
  • 刊出日期:  1986-05-05

GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金能带的计算

  • 1. 南京电子器件研究所
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 使用分区变分法计算了GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金的能带。鉴于原胞内包含不同的原子,依据实际原子的大小,对不同原子球选用了不同的半径。晶体势用相应原子势的迭加势来计算。考虑到组成晶体时原子势场由于电子成键而产生畸变,因而在球外成键区选用了一些调整参数来调整势场,然后再用解析表式来逼近这种调整原子势。适当地选择调整参数使算得的能带同已知的实验值接近。对GaAs和GaP已算得了同实验结果符合的能带结构。使用所得的调整原子势进一步计算了GaAsxP1-x合金的能带。

English Abstract

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