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用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

朱蔚雯 朱文玉 王渭源

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用椭圆偏振光法四相模型研究Si SOI光学性质

朱蔚雯, 朱文玉, 王渭源

STUDY OF Si SOI OPTICAL PROPERTIES BY USING ELLIPSOMETRIC FOUR-PHASE MODEL

ZHU WEI-WEN, ZHU WEN-YU, WANG WEI-YUAN
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  • 用椭圆偏振光谱仪在波长为3000到5000?范围内,测量了绝缘衬底上低压CVD生长的多晶Si薄膜(LPCVD Si SOI)及其激光退火和高频感应高温石墨棒热退火后的椭圆偏振光谱参数。以矩阵乘积形式表示了椭偏光谱四相模型,用Monte Carlo统计模拟法求得Si SOI表面多晶Si薄膜的光学参数ε1和ε2,并对退火后出Si SOI的晶格完整性进行了讨论。
    The ellipsometric parameters of LPCVD poly-Si on insulating SiO2 (Si SOI) before or after annealing with laser or RF inducting graphite strip heater were measured by speetroscopic ellipsometry over the wavelength interval 3000-5000?. The four-phase model of ellipsometric spectra was presented by matrix multiplication and the Monte Carlo simulation was used to calculate both ε1 and ε2 of Si SOI. The lattice perfec-tion of Si SOI after annealing is discussed
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-03-25
  • 刊出日期:  1986-03-05

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