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用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙

王瑞兰 李宏成 管惟炎

用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙

王瑞兰, 李宏成, 管惟炎
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-12-15
  • 刊出日期:  2005-03-18

用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定重掺杂Re膜的超导能隙

  • 1. 中国科学院物理研究所
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定了重掺杂Re膜的超导能隙,△0=(1.04±0.02)meV,2△0/kTc=3.31±0.04。△0值是用电导极大值法确定的。结果表明,杂质使Re膜的Tc与能隙△0增加了许多倍,但是Re仍然属于弱耦合超导体。

English Abstract

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