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激光等离子体淀积硅膜

傅广生 韩理 李晓苇 张连水 董丽芳 吕福润 薛春银

激光等离子体淀积硅膜

傅广生, 韩理, 李晓苇, 张连水, 董丽芳, 吕福润, 薛春银
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-05-20
  • 刊出日期:  2005-03-20

激光等离子体淀积硅膜

  • 1. 河北大学物理系

摘要: 本工作研究了低温、低压下硅薄膜的激光淀积过程,获得均匀性好,平方厘米量级的多晶和非晶态薄膜。仔细测量了淀积过程的最佳条件,在380℃基片温度做得多晶膜。利用有共振吸收的光学击穿以及气体被击穿后产生爆炸波导致高能Si原子产生的模型,讨论了激光等离子体CVD动力学过程。发现TEACO2激光击穿SiH4,以及诱发的爆炸波对硅膜生长有重要作用。理论算得的硅膜生长面积和晶态结构与实验定性符合。

English Abstract

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